کد خبر : 3759 چهارشنبه 20 اسفند 1393 - 10:55:25
افزایش-سرعت-و-بهبود-عملکرد-ترانزیستورهای-نانولوله-کربنی

افزایش سرعت و بهبود عملکرد ترانزیستورهای نانولوله کربنی

سیناپرس: محققان موفق به ساخت ترانزیستوری با استفاده از نانولوله‌های کربنی شدند که سرعت و هدایت آن چندین برابر بیشتر از ترانزیستورهای نانولوله‌های فعلی است.

محققان دانشگاه ویسکوسین مادیسون گام بلندی به سوی ساخت باتری‌هایی با طول عمر بالا برداشتند. این گروه موفق به ساخت ترانزیستوری از نانولوله‌های کربنی شدند که بالاترین عملکرد را درمیان ترانزیستورهای نانولوله‌ای تولید شده تاکنون دارد.

در مقاله‌ای که این گروه تحقیقاتی منتشر کردند نشان دادند که نرخ خاموش و روشن شدن این ترانزیستور 1000 برابر سریع‌تر از دیگر ترانزیستورهای نانولوله‌ای بوده و رسانایی آن 100 برابر بیشتر است.
آرنولد از محققان این پروژه می‌گوید: «نانولوله‌های کربنی دارای ساختار بسیار مستحکم و انعطاف‌پذیری هستند به طوری که می‌توان از آن‌ها در ساخت نمایشگرهای انعطاف‌پذیر استفاده کرد.»
نانولوله‌های کربنی گزینه مناسبی برای تولید نسل جدید ترانزیستورها هستند. این مواد می‌توانند به عنوان سوئیچ برای قطع و وصل جریان مورد استفاده قرار گیرند. چالش اصلی، جدا کردن نانولوله‌های نیمه‌هادی از فلزی است. وجود نانولوله‌های فلزی به صورت ناخالصی در طراحی و ساخت ترانزیستور عمل می‌کند.
این گروه از پلیمر برای جداسازی نانولوله‌های نیمه‌هادی استفاده کردند به طوری که با اعمال التراسونیک، نانولوله‌های نیمه‌هادی با خلوص بالا از محلول جداسازی می‌شوند. در روش‌های قبلی، نانولوله‌های جدا شده به یکدیگر چسبیده و تشکیل فیلم می‌دهند. یافته‌های اخیر این گروه تحقیقاتی می‌تواند فناوری‌ ساخت ترانزیستورهای نانولوله‌ کربنی را یک گام دیگر به جلو ببرد. بنابراین می‌توان امیدوار بود که در آینده‌ای نزدیک ترانزیستورهای نانولوله کربنی جایگزین ترانزیستورهای سیلیکونی شده و در تراشه‌های کامپیوتری و ادوات مخابراتی از آن‌ها استفاده شود. لازم به ذکر است که ترانزیستورهای سیلیکونی در حال رسیدن به حد نهایی کوچک شدن هستند و باید جایگزینی برای آن‌ها ارائه شود.
مایکل آرنولد می‌گوید: «یافته‌های اخیر به ما کمک می‌کند تا نسل جدیدی از ادوات الکترونیکی را تولید کنیم، چیزی که تا پیش از این با استفاده از سیلیکون قابل ساخت نبوده است. ما تنها عملکرد ترانزیستور نانولوله‌ای را بهبود نداده‌ایم بلکه رشد قابل توجه و چشمگیری در هدایت این ترانزیستورها ایجاد کرده‌ایم.»
محققان این پروژه در حال ثبت یافته‌های خود به صورت پتنت هستند. همچنین این گروه تحقیقاتی در حال گفتگو با چند شرکت مختلف برای تجاری‌سازی و انتقال این فناوری به صنعت هستند.

نظرات شما

[کد امنیتی جدید]

آخرین ها  | برگزیده ها برترین ها